GaN LED量子阱光发射模型

• 作者: 徐静平 邹晓 陈卫兵
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱 InGaN/GaN 发光二极管 发光强度
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 页码范围: 39-41
• 页数: 3页
• 分类号: TN209|TN304
• 字数: 2419字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2005.11.012

摘要

在分析GaN LED量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制Stark效应和Franz-Kddysh效应,提出了一种基于InGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模拟结果表明LED的光发射效率和波长依赖于有源区In组分变化引起的势能涨落和阱尺寸,并得到LED发光波长红移的原因为:非故意掺杂引入新的施主能级和受主能级,新能级之间以小于带隙的能量跃迁;Franz-Keldysh效应随阱厚的增加而加强;压电极化和自发极化形成的内电场在空间上将电子和空穴隔开,但电子和空穴波函数的交叠允许它们在较低的能级上辐射复合;以及带边吸收的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学电子科学与技术系	88	358	9.0	13.0
2	邹晓	华中科技大学电子科学与技术系	12	62	5.0	7.0
6	陈卫兵	华中科技大学电子科学与技术系	22	129	7.0	10.0