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摘要:
以单质Zn,Se和H2为原料,采用低压化学气相沉积方法在温度为630℃~750℃,压力为300Pa~1000 Pa条件下制备出了性能优异的ZnSe多晶材料.性能测试表明,制备出的CVD ZnSe多晶材料在0.55 μm~22 μm,及8μm~14μm波段的平均透过率超过70%(1 mm厚),在3.39μm处的应力双折射为54 nm/cm.其光学透过性能与美国采用Zn和H2Se气体为原料制备出的CVD ZnSe多晶非常接近.
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文献信息
篇名 低压化学气相沉积法制备ZnSe多晶及其性能研究
来源期刊 稀有金属材料与工程 学科 工学
关键词 ZnSe 红外 化学气相沉积 CVD 透过
年,卷(期) 2005,(2) 所属期刊栏目 材料工艺
研究方向 页码范围 306-308
页数 3页 分类号 TB32
字数 1408字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1002-185X.2005.02.033
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 潘伟 86 734 14.0 23.0
2 王向阳 3 22 2.0 3.0
3 张力强 4 24 2.0 4.0
4 肖红涛 4 24 2.0 4.0
5 周育先 1 10 1.0 1.0
6 方珍意 4 12 2.0 3.0
7 杨曜源 2 11 1.0 2.0
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稀有金属材料与工程
月刊
1002-185X
61-1154/TG
大16开
西安市51号信箱
52-172
1970
chi
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