热处理对STO铁电薄膜微结构的影响

• 作者: 张万里 张勤勇 李言荣 蒋书文
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: STO 铁电薄膜 晶化 CFA RTA
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 203-205
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 2302字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.02.013

摘要

系统研究了CFA与RTA两种热处理方式以及热处理温度和时间对STO薄膜微结构的影响.STO薄膜采用脉冲激光沉积法(PLD)制备.采用原子力显微镜(AFM)和XRD分别对薄膜的表面形貌和晶粒结构进行分析.结果表明,在热处理温度650～800℃范围内,相对于CFA、STO薄膜经RTA热处理后,薄膜表面晶粒大小分布均匀、致密.两种热处理方法都使薄膜的晶粒直径随温度升高而增大,并且温度越高,薄膜的晶形越完整,同样热处理温度下,RTA与CFA相比薄膜的晶粒较小,两种热处理方法的最大晶粒尺寸都＜120nm.但XRD分析结果表明,在相同热处理温度下,CFA热处理的结晶转化率较RTA热处理要高.在一定范围内,RTA热处理时间对薄膜晶粒尺寸影响不大,热处理时间越长,晶粒更加完整,表面更加均匀平整,结晶转化率越高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李言荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	115	824	15.0	21.0
2	张万里	电子科技大学微电子与固体电子学院	142	705	13.0	17.0
3	张勤勇	西华大学材料系	7	55	5.0	7.0
7	蒋书文	电子科技大学微电子与固体电子学院	30	197	7.0	12.0