基于GMR纳米薄膜的磁场传感器研究

• 作者: 任天令 刘华瑞 刘理天 曲炳郡 李伟 欧阳可青
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: GMR GMR传感器 退火 矫顽力
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 微纳传感器与执行器
• 页码范围: 127-129
• 页数: 3页
• 分类号: TM936
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.042

摘要

通过高真空磁控溅射、离子束刻蚀、光刻、铝引线溅射、正胶剥离等工艺,制造了用GMR纳米薄膜作为核心部分的磁场传感器.经过退火工艺后的GMR薄膜的磁电阻变化率为7.91%,矫顽力为0.054π×103A/m(0.05Oe).用这种GMR薄膜制备的磁场传感器的线性区域为-154π×103～154π×103A/m,输出线性度为0.9993.这种高线性度的磁场传感器在汽车工业和自动化控制系统等领域中起到举足轻重的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天		230	1519	19.0	23.0
2	任天令		87	600	13.0	19.0
3	李伟		88	760	15.0	23.0
4	刘华瑞		12	15	2.0	3.0
5	曲炳郡		20	41	4.0	5.0
6	欧阳可青		4	21	2.0	4.0