基于Marangoni界面效应的数控化学抛光去除函数的研究

• 作者: 侯晶 周礼书 张清华 王健 许乔 雷向阳
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: Marangoni界面效应 数控化学抛光 去除函数 化学刻蚀
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: ICF与激光等离子体
• 页码范围: 555-558
• 页数: 4页
• 分类号: TN244
• 字数: 2192字
• 语种: 中文

摘要

利用基于Marangoni界面效应对化学抛光去除函数的理论及实验进行研究,提出采用湿法化学抛光(刻蚀)方法为大口径高精度光学元件的加工提供新的解决途径.介绍了Marangoni界面效应及其验证实验,运用WYKO轮廓仪对熔石英基片局域刻蚀前后的粗糙度进行检测,结果表明,粗糙度基本无变化,刻蚀前后粗糙度分别为0.72 nm和0.71 nm.基于Preston假设,建立了数控化学抛光理论模型,运用WYKO干涉仪观察实验现象可知,化学抛光刻蚀曲线基本上成平底陡峭的去除函数曲线,小磨头抛光是倒置的仿高斯函数曲线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王健		25	165	9.0	11.0
2	许乔		82	1074	17.0	27.0
3	周礼书		16	77	5.0	8.0
4	雷向阳		6	55	5.0	6.0
5	张清华		18	154	7.0	12.0
6	侯晶		11	95	7.0	9.0