Si(001)表面In量子线的第一原理研究

• 作者: 吴新华 戴宪起 李同伟 琚伟伟
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子线 铟 硅 第一原理
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 673-678
• 页数: 6页
• 分类号: O469
• 字数: 2970字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2006.04.018

摘要

利用第一原理理论研究了金属In在Si(001)表面吸附的原子结构.结果表明,In原子的吸附不破坏衬底Si的二聚体化学键.在低覆盖率时,In原子在Si(001)衬底上形成有序量子线,取向沿衬底Si的二聚体化学键方向.计算结果显示相邻In线之间不存在排斥作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴宪起	河南师范大学物理系	42	133	6.0	9.0
2	李同伟	河南科技大学数理系	13	38	3.0	5.0
3	琚伟伟	河南师范大学物理系	12	87	3.0	9.0
7	吴新华	河南师范大学物理系	2	5	2.0	2.0