深亚微米下芯片电源网络的设计和验证

• 作者: 楼久怀 樊俊峰 沈海斌 王国雄
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 电源网络 电压降 电子迁移率
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 1164-1167
• 页数: 4页
• 分类号: TN47
• 字数: 3984字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.04.045

摘要

随着芯片集成度的逐渐提高,芯片单位面积所消耗的功耗也越来越大,因此,可靠的电源网络设计和验证已成为芯片设计成败的关键因素之一.在以往,集成电路(IC)设计工程师往往根据经验来设计电源网络,但工艺到0.18 μm,这往往会引起芯片功能失效.根据这个问题,本文首先介绍电压降(IR-Drop)和电子迁移率(Electro-migration)现象和对芯片性能的影响;其次,提出一种有效的电源网络设计和验证方法,并在芯片的物理设计初期对电源网络作可靠性估计;最后,经过椭圆曲线加密芯片(ECC&RSA)的流片,表明采用该方法设计的芯片,工作情况良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈海斌	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	139	832	13.0	21.0
2	王国雄	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	20	98	6.0	9.0
3	樊俊峰	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	1	6	1.0	1.0
4	楼久怀	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	2	8	2.0	2.0