快速热处理在直拉硅内吸杂技术中的应用

• 作者: 刘彩池 孙世龙 石义情 赵丽伟 赵彦桥 郝秋艳
• 来源期刊: 中国材料科技与设备
• 学科: 工学
• 关键词: 直拉硅 快速热处理 氧沉淀 清洁区
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 62-64
• 页数: 3页
• 分类号: TN305

摘要

硅片直径的不断增大，特征线宽的不断减小，吸除器件有源区域内的金属杂质至关重要。传统的内吸杂已经不能完全满足器件工艺的要求，因此快速热处理技术被引入到直拉硅片的内吸杂工艺中。快速热处理可以使空住在硅中按深度分布，在后续的热处理中促进氧沉淀的形成，从而得到理想的清洁区和氧沉淀密度。探索快速热处理的条件以达到良好的内吸杂效果，具有重要的实用意义。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
2	郝秋艳	河北工业大学信息功能材料研究所	37	179	9.0	12.0
3	赵丽伟	河北工业大学信息功能材料研究所	7	21	2.0	4.0
4	石义情	河北工业大学信息功能材料研究所	5	18	3.0	4.0
5	孙世龙	河北工业大学信息功能材料研究所	4	2	1.0	1.0
6	赵彦桥	河北工业大学信息功能材料研究所	4	3	1.0	1.0