Si基Ge量子点光电探测器的研究

• 作者: 张爽 王民生 邓宁 陈培毅 魏榕山
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: UHV/CVD 量子点 量子点红外探测器 暗电流密度 响应度
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 379-382
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 2073字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2006.04.008

摘要

采用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了多层的自组织Ge量子点,用AFM对量子点的形貌和尺寸分布进行了研究.材料的低温(10 K)PL谱测试表明,由于量子点的三维限制作用,跟体材料的Ge相比,Ge量子点的NP峰表现出87 meV的蓝移.在此基础上,流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器.室温下,测得其在1.31 μm和1.55 μm的响应度分别为0.043 mA/W和0.001 4 mA/W,覆盖了体Si探测器所不能达到的响应范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈培毅	清华大学微电子学研究所	52	245	10.0	12.0
2	邓宁	清华大学微电子学研究所	34	145	7.0	10.0
3	张爽	清华大学微电子学研究所	10	157	5.0	10.0
4	魏榕山	清华大学微电子学研究所	2	14	2.0	2.0
5	王民生	清华大学微电子学研究所	3	19	2.0	3.0