Cat-CVD法制备硅薄膜及在TFT中的应用进展

• 作者: 付国柱 刘少林 庞春霖 邱法斌 邹兆一
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 硅薄膜 薄膜晶体管 化学气相淀积法
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 483-490
• 页数: 8页
• 分类号: TN141
• 字数: 4350字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.017

摘要

目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制.新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速率高﹑原料气体利用效率高﹑衬底温度低﹑生长的薄膜致密﹑电学特性好等优点,将更有希望成为TFT用硅薄膜制备的新技术.文章对Cat-CVD法的工作机理及其在TFT中的应用进展进行了详细总结,归纳了各种催化丝材料,并对当前Cat-CVD技术研究中的不足及其以后的研究发展进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘少林	吉林大学电子科学与工程学院	3	6	2.0	2.0
3	邱法斌	吉林大学电子科学与工程学院	15	54	4.0	6.0
4	邹兆一	吉林大学电子科学与工程学院	2	3	1.0	1.0
5	付国柱		4	15	3.0	3.0
8	庞春霖		1	1	1.0	1.0