氢原子在Cat-CVD法制备多晶硅薄膜中的作用

• 作者: 付国柱 廖燕平 荆海 邝俊峰 高博 高文涛 黄金英
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜 氢原子 催化化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 450-454
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1|TN304.055
• 字数: 3700字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2004.06.009

摘要

采用钨丝催化化学气相沉积(Cat-CVD)方法制备多晶硅(p-Si)薄膜,研究氢气稀释率(FR(H2)/(FR(H2)+FR(SiH4))对制备多晶硅薄膜的影响.XRD和喇曼光谱分析分别显示(111)面取向的多晶硅峰及喇曼频移为520 cm-1多晶硅峰的强度随氢气稀释率的增加而增强,由喇曼光谱计算的结晶度也有同样的趋势.通过分析测试结果得出,氢原子以表面脱氢、刻蚀弱的Si-Si键,及进入晶格内部进行深度脱氢等方式改善薄膜材料的结晶度.