低温多晶硅薄膜制备技术应用进展

• 作者: 杨定宇 涂小强 蒋孟衡
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 低温多晶硅薄膜 综述 金属诱导横向晶化 准分子激光晶化 触媒化学气相沉积 电感耦合等离子体化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 8-11
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 5339字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.08.003

摘要

系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(Cat-CVD)以及电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展.对不同制备工艺的优势和不足进行了比较,重点讨论了Cat-CVD和ICP-CVD在实用化中需克服的技术问题.对上述制备方法的应用前景作了评述和展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨定宇	成都信息工程学院光电技术系	39	148	6.0	9.0
2	蒋孟衡	成都信息工程学院光电技术系	23	149	8.0	11.0
3	涂小强	成都信息工程学院光电技术系	20	105	5.0	10.0