制备态FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜的巨磁阻抗效应

• 作者: 姜山 王文静 萧淑琴 袁慧敏 颜世申
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 巨磁阻抗效应 FeZrBNi三层膜 掺杂
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 页码范围: 971-973
• 页数: 3页
• 分类号: O482.54
• 字数: 2411字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2006.09.014

摘要

用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜,对制备态样品进行了磁阻抗测量.结果表明,样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8 MHz;在此频率下,样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%.这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能.同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜世申	山东大学物理与微电子学院	8	34	4.0	5.0
2	王文静	山东大学物理与微电子学院	12	18	2.0	3.0
3	袁慧敏	山东大学物理与微电子学院	2	7	2.0	2.0
4	姜山	山东大学物理与微电子学院	11	72	6.0	8.0
5	萧淑琴	山东大学物理与微电子学院	13	99	5.0	9.0