BCN薄膜XPS结构分析时荷电效应的校正

• 作者: 孙明仁 徐淑艳 马欣新
• 来源期刊: 中国表面工程
• 学科: 工学
• 关键词: BCN膜 XPS 化学结构 荷电效应
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 16-20
• 页数: 5页
• 分类号: TG174.444|TB333
• 字数: 3518字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1007-9289.2006.01.004

摘要

采用X射线光电子谱(XPS)对BCN非晶纳米薄膜的结构进行表征.分别采用氩峰、污染碳和沉积单层金3种元素峰位来校正在XPS测试过程中由荷电效应引起的峰位移动,并与傅立叶红外光谱(FTIR)进行比较,讨论了这3种校正荷电效应的元素峰位选取对正确表征BCN膜结构的影响.分析结果表明:采用不同校正元素得到的BCN薄膜中元素的结合能差别很大,只有采用合适的元素校正荷电效应才能正确的表征薄膜结构;采用氩校正结合能得到的键结构拟合结果最接近薄膜的真实结构,该方法适用于溅射气氛中含Ar气的BCN膜,且对分析膜内结构同样有效;采用污染碳法和沉积单层金校正的结合能与真实值偏差较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马欣新	哈尔滨工业大学材料科学与工程系	57	307	10.0	14.0
2	孙明仁	哈尔滨工业大学材料科学与工程系	20	115	6.0	9.0
3	徐淑艳	哈尔滨工业大学材料科学与工程系	6	31	4.0	5.0