双层异质结器件载流子复合位置的研究

• 作者: 季兴桥 蒋亚东 钟志有 阳秀 黎威志
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 复合位置 激子 掺杂剂 异质结器件
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 373-375
• 页数: 3页
• 分类号: TN383.1
• 字数: 1853字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2006.04.006

摘要

载流子的复合是有机电致发光过程的一个重要环节,它直接影响着器件的效率,稳定性,寿命等性能.以双层器件ITO/ N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-(1,1'-biphenyl)- 4,4'-diamine (NPB)/ tri-(8-hydroxy-quinoline )-aluminum (Alq3)/Mg:Ag为基础,以红光掺杂剂4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB)为探针,通过改变在Alq3层中掺杂层的厚度,研究了双层异质结器件中载流子的复合位置.结果表明,对于双层器件NPB/Alq3,载流子的复合及激子的辐射衰减位于界面处的Alq3层0～10 nm范围内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋亚东	电子科技大学光电信息学院	318	2024	18.0	25.0
2	黎威志	电子科技大学光电信息学院	36	218	9.0	12.0
3	阳秀	电子科技大学光电信息学院	5	19	3.0	4.0
4	钟志有	电子科技大学光电信息学院	15	81	5.0	8.0
5	季兴桥	电子科技大学光电信息学院	14	80	5.0	8.0