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摘要:
基于衬底驱动MOS技术,设计了一种0.8 V CMOS跨导运算放大器(OTA),在互补输入差分对的衬底端施加信号避开MOSFET阈值电压的限制以达到超低压应用,通过额外的共源放大器来提高OTA的增益.在±0.4 V的电源电压下,其直流开环增益为73.8 dB,单位增益带宽为16.4 MHz,相位裕度为53°,功耗为125.4 μW,输出电压范围为-0.337~0.370 V.
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文献信息
篇名 一种基于衬底驱动技术的0.8 V高性能CMOS OTA
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 衬底驱动 超低压 跨导运算放大器 CMOS 低功耗
年,卷(期) 2006,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 344-347
页数 4页 分类号 TN402
字数 2480字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.02.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨银堂 西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 420 2932 23.0 32.0
2 朱樟明 西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 164 1318 18.0 26.0
3 张宝君 西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 4 16 2.0 4.0
4 张海军 西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 4 16 2.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
衬底驱动
超低压
跨导运算放大器
CMOS
低功耗
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
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21
总被引数(次)
27643
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