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一种基于衬底驱动技术的0.8 V高性能CMOS OTA
一种基于衬底驱动技术的0.8 V高性能CMOS OTA
作者:
张宝君
张海军
朱樟明
杨银堂
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
衬底驱动
超低压
跨导运算放大器
CMOS
低功耗
摘要:
基于衬底驱动MOS技术,设计了一种0.8 V CMOS跨导运算放大器(OTA),在互补输入差分对的衬底端施加信号避开MOSFET阈值电压的限制以达到超低压应用,通过额外的共源放大器来提高OTA的增益.在±0.4 V的电源电压下,其直流开环增益为73.8 dB,单位增益带宽为16.4 MHz,相位裕度为53°,功耗为125.4 μW,输出电压范围为-0.337~0.370 V.
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文献信息
篇名
一种基于衬底驱动技术的0.8 V高性能CMOS OTA
来源期刊
电子器件
学科
工学
关键词
衬底驱动
超低压
跨导运算放大器
CMOS
低功耗
年,卷(期)
2006,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
344-347
页数
4页
分类号
TN402
字数
2480字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1005-9490.2006.02.012
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杨银堂
西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
420
2932
23.0
32.0
2
朱樟明
西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
164
1318
18.0
26.0
3
张宝君
西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
4
16
2.0
4.0
4
张海军
西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
4
16
2.0
4.0
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(2)
1992(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1996(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
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参考文献(1)
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2006(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
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2011(1)
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二级引证文献(0)
2013(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2015(2)
引证文献(1)
二级引证文献(1)
2018(1)
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二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
衬底驱动
超低压
跨导运算放大器
CMOS
低功耗
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
主办单位:
东南大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1005-9490
CN:
32-1416/TN
开本:
大16开
出版地:
南京市四牌楼2号
邮发代号:
创刊时间:
1978
语种:
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
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