碲锌镉单晶体的正电子寿命研究

• 作者: 何知宇 唐世红 张冬敏 方军 朱世富 洪果 王瑞林 赵北君 陈俊 高德友
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碲锌镉 正电子湮没技术 寿命 退火
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 306-309
• 页数: 4页
• 分类号: O77
• 字数: 2965字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.023

摘要

用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷.刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存在的点缺陷主要是占优势的Cd空位,用富Cd同成份源Cd1-xZnxTe气氛对样品在不同温度下等时退火后,发现样品的正电子寿命参数对退火温度表现出很强的依赖关系,通过对样品退火过程中空位的迁移、聚集及消失情况分析,得出较适宜的退火温度约为700℃.