前驱膜中Ga含量对CIGS吸收层性能的影响

• 作者: 庄大明 张弓 李秋芳 郑麒麟
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳能电池 Cu(In1-xGax)Se2 磁控溅射 前驱膜 硒化
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TM615
• 字数: 2507字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.z1.009

摘要

采用中频交流磁控溅射方法制备了CuInGa(CIG)前驱膜,并采用固态硒化法进行处理,获得了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜.采用扫描电子显微镜和X射线衍射观察和分析了薄膜的成分、组织结构和表面形貌.着重分析了CIG前驱膜中的Ga含量对CIGS吸收层薄膜成分、晶体结构的影响.结果表明,通过调节CIG前驱膜的Ga含量可制备得到Cu/(In+Ga)原子比接近1,且Ga/(In+Ga)比例可调的成分分布均匀的CIGS薄膜.CIGS薄膜由Cu(In1-xGax)Se2固溶体相组成,Ga主要是以替代In的固溶形式存在.在CuIn和CuGa合金靶的功率密度分别为0.24和0.30W/cm2条件下制备的CIG前驱膜经固态硒化处理可获得Ga/(In+Ga)比高达0.270:1的CIGS薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张弓	清华大学机械工程系	81	914	16.0	27.0
2	庄大明	清华大学机械工程系	104	1374	22.0	32.0
3	李秋芳	清华大学机械工程系	4	29	2.0	4.0
4	郑麒麟	清华大学机械工程系	4	54	3.0	4.0