镓(Ga)的含量及分布对CIGS薄膜电池量子效率的影响

• 作者: 刘伟 周琳 孙云 李伟 李凤岩
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 镓梯度分布 铜铟镓硒太阳电池 固态源硒化法 量子效率
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 131-134
• 页数: 4页
• 分类号: TM615
• 字数: 2546字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.030

摘要

采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2薄膜,Cu-In-Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成,采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化,通过调整镓(Ga)比例及分布控制CIGS薄膜的带隙,采用镓元素梯度分布,使CIGS薄膜带隙呈现抛物线状分布,电池的量子效率得到明显提高,制备出的CIGS薄膜电池开路电压与转换效率都得到很大程度的改善,电池最高转换效率已达9.4%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	95	992	19.0	24.0
3	孙云	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	33	390	11.0	19.0
4	刘伟	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	48	339	8.0	18.0
5	李凤岩	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	16	135	6.0	11.0
8	周琳	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	2	20	1.0	2.0