Cu(In,Ga)Se_2薄膜表面镓(Ga)含量分布对太阳电池性能的影响

• 作者: 何青 刘芳芳 孙云 张毅 李长健 王赫
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ga梯度分布 吸收层表面 开路电压V_(oc) 短路电流J_(sc)
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 52-56
• 页数: 5页
• 分类号: TM615
• 字数: 2879字
• 语种: 中文

摘要

本文利用三步法共蒸发制备Cu(In,Ga)Se_2多晶薄膜吸收层,通过改变第三步Ga的蒸发温度控制薄膜表面Ga的含量及其分布.随着吸收层表面Ga含量的增大,空间电荷区带隙变宽,电池的开路电压V_(oc)明显增大.同时,Ga的梯度分布有效地扩宽了吸收层的光谱响应范围,减小了由于禁带宽度增大所引起的短路电流J_(sc)的损失,从而有效地提高了电池的转换效率.