基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
为了解决电弧离子镀(AIP)工艺中脉冲偏压电源与AIP等离子体负载间的匹配问题,结合脉冲偏压下AIP工艺实验,运用等离子体鞘层理论、电路理论和仿真模拟技术,得到AIP等离子体负载本质上是由鞘层引起的容性负载,在电路中可以等效为电容和电阻相并联的单元;根据AIP等离子体鞘层演化的特性,将AIP等离子体负载的等效电容表征为与时间无关而只与脉冲偏压幅度和等离子体相关参数有关的量,AIP等离子体负载的等效电阻,可以在直流偏压下通过测量与脉冲偏压幅值对应的AIP等离子体负载电流来确定.经验证,本文建立的AIP等离子体负载的等效电路模型及其定量表征是有效的.
推荐文章
一种新的交流等离子体显示器等效电路模型
交流等离子体显示器
气体放电
等效电路
微弧氧化脉冲电源的负载模型及其定量表征
微弧氧化脉冲电源
等效电路模型
负载特性
曲线拟合
脉冲电弧离子镀中的放电稳定性
脉冲电弧
拉弧
停弧
放电稳定性
YAG激光+脉冲双电弧复合焊接等离子体物理特性研究
YAG激光+脉冲双电弧复合焊接
等离子体
光谱
电子温度
电子密度
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 脉冲偏压下电弧离子镀等离子体负载的等效电路模型及其定量表征
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 电弧离子镀等离子体负载 脉冲偏压 电路模型 定量表征 鞘层
年,卷(期) 2006,(3) 所属期刊栏目 学术论文
研究方向 页码范围 176-180
页数 5页 分类号 TN702|O539
字数 4677字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.03.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王宁会 大连理工大学电气工程系 76 752 15.0 24.0
2 董闯 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 198 2023 23.0 34.0
3 林国强 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 59 562 13.0 21.0
4 戚栋 大连理工大学电气工程系 27 232 7.0 15.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (4)
参考文献  (7)
节点文献
引证文献  (3)
同被引文献  (3)
二级引证文献  (17)
1991(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1994(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1995(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2000(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2002(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2005(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2006(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2007(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2008(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2009(4)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(4)
2010(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
2012(6)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(5)
2014(4)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(4)
2015(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2020(2)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
电弧离子镀等离子体负载
脉冲偏压
电路模型
定量表征
鞘层
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空科学与技术学报
月刊
1672-7126
11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
chi
出版文献量(篇)
4084
总下载数(次)
3
总被引数(次)
19905
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导