多孔硅表面Si-OH结构的研究

• 作者: 周明秀 李金山 杨春 郁卫飞
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 多孔硅(PS) Si-OH 密度泛函 表面结构 电子密度
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 455-459
• 页数: 5页
• 分类号: O793|O647
• 字数: 3645字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2006.04.019

摘要

建立了2×1的表面为Si-OH结构的多孔硅(Porous Silicon,PS)模型,在周期性边界条件下的K空间中,采用基于密度泛函理论广义梯度近似的平面波超软赝势方法,对Si-OH结构进行几何结构与电子结构的计算研究.通过分析优化后稳定的Si-OH结构,从理论上证实多孔硅的结构是完全不规则的,表面结构中两类Si-O键长值分别介于0.161-0.163 nm之间和0.168-0.170 nm之间,两类O-H键长值分别为0.097 nm和0.098-0.100 nm,角∠Si-O-H的值主要分布在109.0°-116.3°之间,角∠O-Si-O的值主要分布在96.2°-98.5°之间;最后通过电子局域函数ELF图分析了表面成键与表面电子分布特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨春	四川师范大学计算机软件重点实验室	89	760	14.0	24.0
2	李金山	中国工程物理研究院化工材料研究院	100	1481	23.0	32.0
3	郁卫飞	中国工程物理研究院化工材料研究院	45	435	15.0	18.0