YIG磁性薄膜低温集成工艺

• 作者: 于军 任天令 刘锋 杨晨
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 磁性薄膜 Sol-Gel法 快速热处理 静态磁性能 集成
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 4259字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2006.04.001

摘要

为使YIG磁性薄膜应用到Si集成电路中,利用Sol-Gel技术晶化温度低的特点,结合快速热处理(RTP)工艺在Si基上制备了Y2.97Bi0.03Fe5O12薄膜.讨论了Sol-Gel工艺薄膜制备条件的优化,使用原子力显微镜(AFM),X射线衍射仪(XRD)和交变梯度磁强计(AGM)研究了RTP工艺对薄膜样品表面形貌、晶相结构及静态磁性能的影响.结果显示:Sol-Gel技术有效降低了薄膜晶化温度,RTP热处理工艺对Y2.97Bi0.03Fe5O12薄膜结晶温度、晶相结构没有影响,对表面形貌影响较大,从而使薄膜静态磁性能略有降低,但通过低温退火可有效改善RTP工艺对薄膜磁性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军	华中科技大学电子科学与技术系	103	537	11.0	16.0
2	任天令	清华大学微电子学研究所	87	600	13.0	19.0
3	刘锋	华中科技大学电子科学与技术系	10	60	5.0	7.0
4	杨晨	清华大学微电子学研究所	13	74	5.0	8.0