基于SOI衬底的一种新型磁敏晶体管研究

• 作者: 温殿忠
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 双注入 磁敏晶体管 SOI衬底 磁场测量 MEMS
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 609-612
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 1104字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.03.001

摘要

设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路.理论分析了n+-π-n+晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时的磁灵敏度.该磁敏晶体管可应用于磁场的测量,实验结果表明在磁场B=0.1T时,这种新型结构给出高的磁灵敏度即△IC/Ic0≈20%,并且有很好的电控制特性.该磁敏晶体管的槽形复合区采用MEMS技术制造.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温殿忠	黑龙江大学集成电路重点实验室	51	330	10.0	15.0