大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究

• 作者: 刘召军 吴春亚 孟志国 张芳 李学冬 熊绍珍 王中 赵淑云
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 金属诱导晶化 化学源 多晶硅 薄膜晶体管
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6095-6100
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 字数: 2269字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.087

摘要

用无电电镀的化学方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度、pH值和无电电镀的时间等参量.当成核密度比较低时可以观察到径向晶化现象.用VHF-PECVD非晶硅薄膜作为晶化前驱物,晶化后多晶硅的最大晶粒尺寸可达到90μm.用此多晶硅试制的TFT,获得了良好的器件特性.