位错对BBO晶体光学均匀性的影响

• 作者: 朱镛 白若鸽 陈创天
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: BBO晶体 化学腐蚀 蚀坑密度 光学均匀性
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: O734
• 字数: 1892字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.003

摘要

本文报道了BBO晶体中位错密度对光学均匀性的影响.样品的光学均匀性是利用Wyko RTI 4100型干涉仪进行测量.采用侵蚀法观测BBO晶体{001}面的位错密度,在一定的侵蚀条件下,观察到BBO晶体{001}面上的位错露头为突起的正三方锥形,底边与X轴平行.在显微镜下测量出样品的蚀坑密度.实验证明,随着位错密度的增加BBO晶体的光学均匀性逐渐变差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈创天	中国科学院理化技术研究所	42	447	11.0	20.0
2	白若鸽	中国科学院理化技术研究所	1	0	0.0	0.0
6	朱镛	中国科学院理化技术研究所	8	172	6.0	8.0