VDMOS场效应晶体管的研究与进展

• 作者: 沈克强 陈龙
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 特征导通电阻 沟槽结构 Superjunction
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 290-295
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 5455字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.01.081

摘要

介绍了新一代电力电子器件VDMOS的发展概况及工作原理,分析了其技术特点与优势,重点阐述了近年来国际上VDMOS在高压大电流及低压大电流方面所取得的理论及技术突破,通过不断改进的沟槽技术以及封装工艺提高了器件的整体性能,而Superjunction新结构、SiC新材料的采用突破了Si的高压应用理论极限.最后对未来的研究方向作了展望.