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NEC研发成功55nm CMOS工艺技术
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摘要：
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基于55nm CMOS工艺的可变增益放大器
放大器
互补金属氧化物半导体
宽带
增益控制
基于55nm CMOS工艺的可变增益放大器
放大器
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宽带
增益控制
32nm CMOS工艺技术挑战
CMOS技术
32nm技术节点
迁移率增强
金属栅/高k栅介质
超低k介质
55 nm工艺下 SoC漏电功耗优化方法研究
低功耗设计
多阈值
55 nm工艺
布局布线
片上系统
物理设计
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
| 篇名 | NEC研发成功55nm CMOS工艺技术 | ||
| 来源期刊 | 半导体信息 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 工艺技术 NEC 阈值电压 PMOS 光刻技术 氧化膜厚度 杂质浓度 栅电极 载流子迁移率 存储单元 | ||
| 年，卷（期） | bdtxx_2006,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 34-34 | |
| 页数 | 1页 | 分类号 | TN432 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
五维指标
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2006(0)
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研究主题发展历程
节点文献
工艺技术
NEC
阈值电压
PMOS
光刻技术
氧化膜厚度
杂质浓度
栅电极
载流子迁移率
存储单元
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
16开
出版地：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东
邮发代号：
创刊时间：
1990
语种：
chi
出版文献量（篇）
5953
总下载数（次）
11
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