基于传统的CMOS工艺延伸漏极NMOS功率管研究

• 作者: 浦志卫 郭维
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 互补MOS工艺 延伸漏极N型MOS 二维器件模拟软件 击穿电压
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 647-650
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 1998字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.03.010

摘要

延伸漏极N型MOS(EDNMOS)是基于传统低成本CMOS工艺设计制造,用N-well作为NMOS漏极漂移区,以提高其击穿电压.用二维器件模拟软件Medici[1]对该器件进行模拟分析,结果表明有效地提高了NMOS管击穿电压.实验结果表明采用这种结构能使低压CMOS工艺输出功率管耐压提高到电源电压的2.5倍,样管在5 V栅压下输出的电流可达到750 mA.作为开关管工作,对于1 000 pF容性负载,其工作电流在550 mA时,工作频率可达500 KHz.