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存储器、锁存器
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摘要：
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考虑工艺偏差的容软错误锁存器设计
锁存器
软错误
单粒子效应
工艺偏差
铁电存储器的单粒子效应试验研究
铁电存储器
单粒子效应
重离子加速器
线性能量传输阈值
高速低功耗CMOS动态锁存比较器的设计
动态锁存比较器
互补金属氧化物半导体
高速低功耗
失调电压
基于RHBD技术CMOS锁存器加固电路的研究
CMOS
抗辐射加固
RHBD技术
DICE
D-Latch
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期刊影响力
电子科技文摘
主办单位：
信息产业部电子科学技术情报研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1009-0851
CN：
11-4388/TN
开本：
16开
出版地：
邮发代号：
创刊时间：
1999
语种：
chi
出版文献量（篇）
10413
总下载数（次）
1
总被引数（次）
71
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