多晶硅梁疲劳损坏特性的研究

• 作者: 余存江 唐洁影 师谦 恩云飞
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 疲劳 MEMS 梁 杨氏模量
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 封装与可靠性
• 页码范围: 1599-1601,1605
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 1776字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.075

摘要

针对多晶硅的疲劳失效机理,人们已经提出了一些解释的模型.然而,到目前为止没有一种模型能够全面地阐述疲劳失效机理.本文旨在采用参量的渐变,如平均杨氏模量E,来反映MEMS多晶硅梁的疲劳.通过测试周期性载荷下双端固支梁结构的pull-in电压变化,确定杨氏模量E的变化,进而表征梁的疲劳失效状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	师谦	信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心	11	110	7.0	10.0
2	恩云飞	信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心	37	304	10.0	14.0