薄膜残余应力对MEMS微型光栅性能的影响

• 作者: 乔大勇 梁庆 苑伟政 虞益挺
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜 残余应力 微型光栅 有限元仿真
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 微机电系统
• 页码范围: 94-97
• 页数: 4页
• 分类号: TP211
• 字数: 3591字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2007.02.004

摘要

微型光栅结构薄膜中由于残余应力的存在引起器件在光学和机械性能方面发生显著变化.有限元仿真和分析结果表明,膜内的残余拉应力越大,越利于提高和改善器件工作过程中的光学效率.然而,残余拉应力的增加将显著增大结构工作时的驱动电压,使驱动电路的设计与制作更加复杂;同时,还将导致结构的最大工作位移明显减小,极大限制了光栅的应用领域.另外,残余拉应力的增加也会使结构的共振频率变大,从而影响器件的工作带宽.因此,为了使光栅的使用和工作性能满足设计指标要求,在设计当中就要充分并折中考虑残余应力对各个性能参数的影响,并且在随后的加工和制作过程中对其进行严格控制.