电子束光刻的快速邻近效应校正

• 作者: 于肇贤 宋会英 张玉林 郝慧娟
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 邻近效应校正 局部曝光窗口 全局曝光窗口 关键点
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 电子束技术
• 页码范围: 1-5,64
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3619字
• 语种: 中文

摘要

提出了实现电子束光刻的快速邻近效应校正的分级模型.首先利用矩阵实现内部最大矩形和顶点矩形的快速替换,然后对内部最大矩形和顶点矩形进行校正迭代.在校正迭代的过程中,用局部曝光窗口与曝光强度分布函数直接卷积计算邻近图形对关键点产生的有效曝光剂量,将整个曝光块近似为一个大像点,以计算全局曝光窗口中的曝光图形对关键点产生的有效曝光剂量,实现了快速图形尺寸校正.在与同类软件精度相同的情况下,提高了运算速度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于肇贤	北京信息科技大学理学院	44	43	3.0	4.0
2	张玉林		18	76	5.0	8.0
3	郝慧娟		8	44	4.0	6.0