电子束光刻中的相互邻近效应校正技术研究

• 作者: 宋会英 赵真玉
• 来源期刊: 计算机工程与科学
• 学科: 工学
• 关键词: 电子束光刻 邻近效应校正 有效曝光剂量 局部曝光窗口 全局曝光窗口
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 页码范围: 118-122
• 分类号: TP305.7
• 字数: 3253字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-130X.2011.07.022

摘要

本文研究了基于形状修正的电子束光刻分级邻近效应校正技术,在内部邻近效应校正的基础上,在计算图形之间产生的相互邻近效应过程中,采用了局部曝光窗口和全局曝光窗口机制.局部曝光窗口的区域小,对计算精度影响大,采用累积求和的方法进行精确计算；全局曝光窗口区域大,对计算精度影响小,采用大像点近似的方法进行计算,从而更快速地实现邻近效应校正.该技术的应用,满足了校正精度和运算速度两方面的要求.实验结果与模拟结果一致,表明通过采用局部曝光窗口和全局曝光窗口机制,能够快速地实现相互邻近效应校正,在校正精度相同的情况下,有效提高了运算速度.