CMOS宽带放大器的设计

• 作者: 陈珂
• 来源期刊: 江苏电器
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS工艺 前置放大器 并联峰化技术 片上螺旋电感
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 所属期刊栏目: 设计与研究
• 页码范围: 8-10,18
• 页数: 4页
• 分类号: TM73|TN914
• 字数: 2402字
• 语种: 中文

摘要

利用中芯国际(SMIC)0.18μmCMOS工艺设计了应用于高速率光接收机的前置放大器.该放大器采用了RGC放大器的电路拓扑结构,应用了优化的片上螺旋电感,通过并联峰化技术实现了带宽放大.仿真结果表明跨阻放大器的跨阻增益为52.8dB·Ω,-3dB带宽为8.6GHz,1.8V单电源供电功耗小于37mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈珂	苏州大学电子信息学院	1	3	1.0	1.0