宽带隙半导体器件仿真中收敛性问题的分析

• 作者: 周春华 张波 李肇基 罗小蓉 詹瞻 陈壮梁 雷磊
• 来源期刊: 实验科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带隙半导体 收敛 少数载流子 ISE仿真
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 实验技术
• 页码范围: 14-16
• 页数: 3页
• 分类号: TN302|TP391.9
• 字数: 1900字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-4550.2007.02.005

摘要

针对宽带隙半导体器件仿真中常见的不收敛性问题,通过分析数值求解算法与宽带隙半导体材料的固有特性知道,其原因是少子浓度过低,从而提出3种引入平衡或非平衡少子的解决方案.ISE仿真结果表明,采用文中提出的方案在解决收敛性同时能保证求解结果正确性,并且对刚开始进行宽带隙半导体器件仿真设计的本科生有很大帮助.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学微电子与固体电子学院	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学微电子与固体电子学院	85	958	14.0	28.0
3	周春华	电子科技大学微电子与固体电子学院	5	5	2.0	2.0
4	罗小蓉	电子科技大学微电子与固体电子学院	18	62	5.0	7.0
5	陈壮梁	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	3	1.0	1.0
6	雷磊	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	4	1.0	2.0
7	詹瞻	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	0	0.0	0.0