脉冲激光沉积制备Al-LiNbO_3-GaN结构研究

• 作者: 严文生 修向前 张荣 施易 江瑞莲 谢自力 郑有炓 韩平 顾书林
• 来源期刊: 功能材料信息
• 学科: 工学
• 关键词: PLD LiNbO_3 C-V
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页数: 1页
• 分类号: TB381

摘要

采用脉冲激光沉积设备(PLD)在GaN(0001)晶向上成功沉积了铁电多晶膜LiNbO_3,然后采用热蒸发法在薄膜表面镀铝电极。并对制备的LiNbO_3薄膜进行XRD表征以及对金属-铁电体-半导体(MFS)结构进行了C-V表征,XRD结果表明,沉积温度对薄膜的晶化有很大的影响;C-V测量结果表明,MFS的GaN激活层在5V下就能得到反转,这是一般半导体基集成电路的要求电压。GaN基的MFS结构在GaN基场效应晶体管的实际应用中是非常有前景的。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑有炓	南京大学物理系光电信息重点实验室南京大学物理系光电信息重点实验室	78	353	11.0	15.0
2	顾书林	南京大学物理系光电信息重点实验室南京大学物理系光电信息重点实验室	46	261	9.0	14.0
3	张荣	南京大学物理系光电信息重点实验室南京大学物理系光电信息重点实验室	134	576	13.0	17.0
4	修向前	南京大学物理系光电信息重点实验室南京大学物理系光电信息重点实验室	28	97	5.0	9.0
5	韩平	南京大学物理系光电信息重点实验室南京大学物理系光电信息重点实验室	22	92	6.0	9.0
6	谢自力	南京大学物理系光电信息重点实验室南京大学物理系光电信息重点实验室	19	44	5.0	6.0
7	严文生	南京大学物理系光电信息重点实验室南京大学物理系光电信息重点实验室	1	0	0.0	0.0
8	江瑞莲	南京大学物理系光电信息重点实验室南京大学物理系光电信息重点实验室	1	0	0.0	0.0
9	施易	南京大学物理系光电信息重点实验室南京大学物理系光电信息重点实验室	1	0	0.0	0.0