退火对氟化类金刚石膜结构及电学性能的影响

• 作者: 徐慧 王焕友 肖剑荣 马松山
• 来源期刊: 中南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: F-DLC薄膜 介电常数 PECVD 退火
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 材料·矿物·冶金·化学
• 页码范围: 669-673
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.55
• 字数: 3329字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7207.2007.04.016

摘要

以CF4和CH4为源气体,在不同的温度和功率下,使用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备氟化类金刚石(F-DLC)薄膜,并在Ar气中进行退火处理.利用椭偏仪、X射线衍射仪、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、拉曼光谱仪(Raman)以及QS电桥对薄膜厚度、结构以及电学性质进行表征.研究结果表明:在退火温度为300 ℃时,薄膜很稳定;退火温度达到400 ℃时,大部分H从膜内逸出,C-Hx(x=1,2,3)化学键基本消失,C-Fx,C=C和C=O等化学键的相对含量发生改变;薄膜的介电常数与薄膜内F的含量有关,退火使F的含量减少,介电常数增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖剑荣	中南大学物理科学与技术学院	9	25	3.0	4.0
3	徐慧	中南大学物理科学与技术学院	100	517	10.0	17.0
4	马松山	中南大学物理科学与技术学院	33	105	6.0	7.0
7	王焕友	中南大学物理科学与技术学院	10	84	6.0	9.0