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摘要:
基于0.6μm BiCMOS工艺设计了一种无需基准电压源和比较器的高性能欠压封锁电路(UVLO).利用带隙基准电压源的原理,实现了欠压封锁的阈值点和迟滞量;而且带隙基准电压源结构自身的稳定性决定了欠压封锁能够稳定工作.仿真验证结果表明,该欠压封锁电路的翻转阈值点几乎不随温度变化.
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一种新型欠压锁定电路的设计
欠压锁定
温度漂移
控制逻辑
一种改进的BiCMOS工艺欠压锁存电路的设计
欠压锁存
带隙基准
滞回区间
BiCMOS
一种超低功耗欠压锁定电路设计与实现
欠压锁定
开关电源
基准电压
迟滞电压
一种采用双采样技术的高性能采样保持电路
采样保持
双采样技术
栅压自举开关
运算放大器
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种高性能欠压封锁电路
来源期刊 中国集成电路 学科 工学
关键词 基准电压源 比较器 带隙基准电压源 翻转阈值
年,卷(期) 2007,(4) 所属期刊栏目 设计
研究方向 页码范围 26-28,56
页数 4页 分类号 TN43
字数 1429字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1681-5289.2007.04.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张波 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 206 1313 17.0 26.0
2 周泽坤 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 52 300 11.0 14.0
3 石跃 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 1 15 1.0 1.0
4 罗翱 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 1 15 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
基准电压源
比较器
带隙基准电压源
翻转阈值
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国集成电路
月刊
1681-5289
11-5209/TN
大16开
北京朝阳区将台西路18号5号楼816室
1994
chi
出版文献量(篇)
4772
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7210
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