IR最新200V DirectFET MOSFET效率高达95％

• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: DIRECTFET 功率MOSFET IR 国际整流器公司 功率半导体 封装技术 硅技术
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 73
• 页数: 1页
• 分类号: TN432

摘要

全球功率半导体和管理方案领导厂商一国际整流器公司（IR）推出IRF6641TRPbF功率MOSFET，采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200V FIEXFET MOSFET硅技术，可实现95％的效率。