前驱体中Bi含量对Bi_(3.4)Ce_(0.6)Ti_3O_(12)薄膜结构和性能的影响

• 作者: 于军 于本方 刘军 李美亚 杨斌 王耘波 郭冬云
• 来源期刊: 功能材料信息
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电薄膜 LA掺杂 Bi含量
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页数: 1页
• 分类号: TB381

摘要

近年来研究表明对Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)进行适量镧系元素掺杂得到的铁电薄膜具有较大的剩余极化值和优良的抗疲劳性能,因而是制作铁电存储器的理想材料之一,也是近年来国际上新型功能材料研究的热点。报道了采用sol-gel工艺制备Bi_(3.4)Ce_(0.6)Ti_3O_(12)薄膜,以硝酸铋(Bi(NO_3)_3)、硝酸铈(Ce(NO_3)_3)和钛酸四丁酯(Ti(OC_4H_9)_4)为原料,以乙二醇甲醚和乙酰丙酮为溶剂制备出BCT前驱体,其中铋含量分别为90%,100%和110%(摩尔分数);采用旋转涂膜法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备BCT薄膜,将制备的湿膜放入350℃的炉内烘烤15min,使有机溶剂挥发和有机物分解,得到无定形态薄膜,重复上述涂膜和烘烤过程,得到所需厚度的薄膜。实验中制备的BCT薄膜样品厚度为600 nm。薄膜样品的退火处理条件:在氧气气氛中,从室温以10℃/min的升温速率升至650℃,保温30min,然后随炉冷却至室温。利用D/Max-RB型X射线衍射仪对制备的系列BCT薄膜样品进行晶相分析,采用CuKα辐射(波长λ为0.154nm);利用扫描探针显微镜(AFM...

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘军	武汉大学物理科学与技术学院华中科技大学电子科学与技术系华中科技大学电子科学与技术系	112	592	11.0	18.0
2	杨斌	武汉大学物理科学与技术学院华中科技大学电子科学与技术系华中科技大学电子科学与技术系	18	31	3.0	4.0
3	李美亚	武汉大学物理科学与技术学院华中科技大学电子科学与技术系华中科技大学电子科学与技术系	29	85	5.0	6.0
4	于本方	武汉大学物理科学与技术学院华中科技大学电子科学与技术系华中科技大学电子科学与技术系	4	8	2.0	2.0
5	郭冬云	武汉大学物理科学与技术学院华中科技大学电子科学与技术系华中科技大学电子科学与技术系	8	32	4.0	5.0
6	王耘波	武汉大学物理科学与技术学院华中科技大学电子科学与技术系华中科技大学电子科学与技术系	1	0	0.0	0.0
7	于军	武汉大学物理科学与技术学院华中科技大学电子科学与技术系华中科技大学电子科学与技术系	1	0	0.0	0.0