TiO_2过渡层对Bi_(3.54)Nd_(0.46)Ti_3O_(12)薄膜微观结构及电性能的影响

• 作者: 沈明荣 陈丽莉
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电薄膜 TiO_2过渡层 sol-gel法 微观结构 电学性能
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 26-28,35
• 页数: 4页
• 分类号: TM22
• 字数: 2523字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.11.008

摘要

选取厚度为5、10和20 nm的TiO_2薄膜为过渡层,采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了Bi_(3.54)Nd_(0.46)Ti_3O_(12)(BNT)铁电薄膜,研究了过渡层厚度对铁电薄膜微观结构及电学性质的影响.结果表明,加入TiO_2过渡层后,BNT薄膜微观结构得到改善,ε_r及2P_r值大幅提高,介电损耗及漏电流密度都有降低.过渡层厚度为20 nm时,BNT薄膜的ε_r、tanδ及2P_r值分别为325、0.025(测试频率为10 kHz)和36.1×10~(-6) C/cm~2,漏电流密度为8.45×10~(-7) A/cm~2(外加电场为100×10~3 V/cm).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈明荣	苏州大学物理科学与技术学院	24	104	6.0	8.0
2	陈丽莉	江苏科技大学数理学院	1	0	0.0	0.0