8.5GHz～10GHz GaAs准单片功率放大器

• 作者: 唐世军 李拂晓 王义 郑维彬
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs pHEMT 宽带 准单片 功率放大器
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.7+5
• 字数: 2246字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2007.10.007

摘要

文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAspHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz～10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于16%,典型功率附加效率为25%,输入电压驻波比小于2.5.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李拂晓	单片集成电路及模块电路国家级重点实验室南京电子器件研究所	5	33	3.0	5.0
2	王义	单片集成电路及模块电路国家级重点实验室南京电子器件研究所	1	7	1.0	1.0
3	唐世军	单片集成电路及模块电路国家级重点实验室南京电子器件研究所	1	7	1.0	1.0
4	郑维彬	单片集成电路及模块电路国家级重点实验室南京电子器件研究所	1	7	1.0	1.0