SiC稀磁半导体材料研究进展

• 作者: 吴雪梅 诸葛兰剑 金成刚
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 稀磁半导体 过渡金属
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 1053-1058,1072
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.7
• 字数: 5583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.12.005

摘要

稀磁半导体(DMS)材料同时利用了电子的电荷和自旋属性,具有优异的磁、磁光、磁电等性能,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景.系统地概述了SiC基DMS材料的研究进展,介绍了材料的制备方式、结构、性质、铁磁性起源的机理以及器件潜在的应用前景.结合本实验小组的研究工作,重点阐述了材料的结构以及磁性机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴雪梅	苏州大学物理系	72	331	9.0	13.0
5	诸葛兰剑	苏州大学分析测试中心	59	199	8.0	11.0
9	金成刚	苏州大学物理系	7	25	3.0	5.0