一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究

• 作者: 任天令 刘理天 叶双莉 张大成 阮勇
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子机械系统 硅-玻璃阳极键合 硅深刻蚀 刻蚀损伤
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 传感器理论及工艺
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TN405.983
• 字数: 1656字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.07.013

摘要

提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法.该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2,硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2.由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120:1～125:1,因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应,扫描电镜结果也证明,采用改进工艺后的硅结构在经过长时间的过刻蚀后仍然保持了完整性.硅陀螺测试结果也证明了改进工艺的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张大成	北京大学微电子研究院	43	793	13.0	27.0