利用同质缓冲层溅射生长c轴择优取向氮化铝薄膜

• 作者: 刘旭 梁俊华 郭冰
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: AlN薄膜 反应磁控溅射 缓冲层 择优取向
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 光学仪器
• 页码范围: 1512-1515,1531
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 4055字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2007.09.016

摘要

采用射频反应磁控溅射技术,利用低温低功率下生长的氮化铝(AlN)作为缓冲层,在铟锡复合氧化物(ITO)玻璃衬底上制备出具有良好c轴择优取向的多晶AlN薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)研究了缓冲层对薄膜结晶特性和表面形貌的影响.结果表明,该缓冲层在提高AlN薄膜结晶质量的同时,薄膜的表面粗糙度由19.1 nm减小到2.5 nm,使薄膜表面更为平滑、致密.剖面扫描电子显微镜(SEM)照片显示AlN晶粒呈高度一致的柱状生长体制.通过分析样品的透射光谱,计算得到AlN薄膜的折射率和消光系数分别为2.018 7和0.007 7.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘旭	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	214	1718	22.0	32.0
2	郭冰	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	6	19	2.0	4.0
3	梁俊华	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	1	8	1.0	1.0