30伏P沟VDMOS场效应管的设计

• 作者: 王中文 石广源 胡雨
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOSFET 参数设计 P沟
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 214-217
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 2917字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2007.03.007

摘要

对于IRF7705型30伏P沟VDMOSFET进行了结构优化设计.给出了该器件的纵向结构和横向结构参数及材料的物理参数.较系统地分析了VDMOSFET的几个重要参数,重点讨论了P沟VDMOSFET的外延层电阻率、外延层厚度、N体区扩散浓度以及各个参数之间的关系,对该类器件的实际生产有一定的指导作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石广源	辽宁大学物理学院	39	119	6.0	8.0
2	王中文	辽宁大学物理学院	18	108	6.0	9.0
3	胡雨	辽宁大学物理学院	2	8	2.0	2.0