掺氟二氧化锡纳米粉的制备及电性能研究

• 作者: 何云 白凡飞 谭铭 贺平 贾志杰
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 掺氟二氧化锡 纳米粉 低电阻率 共沉淀法
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 34-36
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 2054字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.04.011

摘要

以SnCl2·2H2O、HF为原料,采用共沉淀法合成了掺氟二氧化锡FTO (SnO2:F)纳米粉.在氧化的过程中进行掺杂,使F原子更容易取代O原子,在400 ℃低温下蒸发得到了低电阻率的FTO纳米粉.应用SEM、XRD、EDS和压片测电阻等方法,对所获粉体进行了表征.结果表明,F的掺杂明显降低了SnO2的电阻率.当r (Sn:F)为10:3时,FTO纳米粉的电阻率最低,为57.2Ω/cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺平	华中师范大学物理学院纳米科技中心	6	52	4.0	6.0
2	贾志杰	华中师范大学物理学院纳米科技中心	38	646	15.0	24.0
3	白凡飞	华中师范大学物理学院纳米科技中心	3	33	3.0	3.0
4	何云	华中师范大学物理学院纳米科技中心	3	33	3.0	3.0
5	谭铭	华中师范大学物理学院纳米科技中心	3	12	2.0	3.0