307～325nm波长AlGaN基紫外光探测器

• 作者: 周绪荣 岑龙斌 张国义 桑立雯 秦志新
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN 紫外光探测器 肖特基接触
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 789-792
• 页数: 4页
• 分类号: TN364.2
• 字数: 3017字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.06.010

摘要

通过在GaN缓冲层上先生长一层20nm厚的AlN插入层,成功地在此插入层上生长出了200nm厚的AlxGa1-xN (0.22<x<0.28)材料.研究并优化了AlxGa1-xN材料上的Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni基肖特基接触的形成条件.20nm/150nm/20nm/200nm的Ti/Al/Ni/Au金属层在N2氛围中,700℃下,快速热退火处理120s后,其欧姆接触的比接触电阻率为3.13×10-5Ω·cm2 .研究表明, 当AlxGa1-xN 材料中Al组分x>0.20时,其上Ni基肖特基势垒高度几乎是不变的.在O2氛围中,300℃下,对AlxGa1-xN 材料上10nm厚的金属Ni层氧化90s,得到了此Ni层在314nm的透射率由57.5%提高到78.2%.在器件的光电流谱测量中,得到了器件最短的截止波长为307nm,紫外/可见光达到103以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国义		4	31	3.0	4.0
2	秦志新		4	96	3.0	4.0
3	桑立雯		2	9	2.0	2.0
4	岑龙斌		1	4	1.0	1.0
5	周绪荣		1	4	1.0	1.0