铁硅化合物β-FeSi2带间光学跃迁的理论研究

• 作者: 张晋敏 曾武贤 梁艳 肖清泉 谢泉 闫万珺
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: β-FeSi2 电子结构 光学特性
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1381-1387
• 页数: 7页
• 分类号: TN304
• 字数: 5208字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.09.010

摘要

采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了β-FeSi2基态的几何结构、能带结构和光学性质.能带结构计算表明β-FeSi2属于一种准直接带隙半导体,禁带宽度为0.74eV;其能态密度主要由Fe的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的β-FeSi2材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质计算结果,复介电函数的计算结果表明β-FeSi2具有各向异性的性质;吸收系数最大峰值为2.67×105 cm-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学电子科学与信息技术学院	133	486	12.0	17.0
2	闫万珺	贵州大学电子科学与信息技术学院	11	64	4.0	8.0
3	张晋敏	贵州大学电子科学与信息技术学院	47	261	7.0	15.0
4	肖清泉	贵州大学电子科学与信息技术学院	40	199	7.0	13.0
5	梁艳	贵州大学电子科学与信息技术学院	6	47	4.0	6.0
6	曾武贤	贵州大学电子科学与信息技术学院	6	47	4.0	6.0